Pierwsze Delle z Opteronami
24 października 2006, 11:56Dell pokazał swoje pierwsze serwery, do zbudowania których użyto procesorów Opteron firmy AMD. Na rynek trafią czteroprocesorowy PowerEdge 6950 oraz dwuprocesorowy PowerEdge SC1435.

Samsung proponuje 24 gigabajty na sekundę
3 grudnia 2007, 12:13Samsung Electronics jest autorem najbardziej wydajnych pamięci dla układów graficznych. Pojedynczy kanał wejścia-wyjścia 512-megabitowej kości GDDR5 przesyła dane z prędkością 6 gigabitów na sekundę.
Pentium E2000 tanie dwa rdzenie Intela
16 listopada 2006, 13:17Intel prawdopodobnie zamierza zrezygnować z dalszej produkcji jednordzeniowych procesorów opartych na mikroarchitekturze Core 2 i planuje sprzedaż dwurdzeniowych układów z rodziny Pentium E2000. Kości te, również korzystające z Core 2, miałyby trafić do niezbyt drogich komputerów, stanowiących główny segment rynku.

4 gigabity w jednej kości
29 stycznia 2009, 13:50Samsung Electronics jest autorem pierwszego czterogigabitowego układu DDR3 DRAM. Kość została wyprodukowana w technologii 50 nanometrów i charakteryzuje się największą gęstością upakowania danych spośród wszystkich podobnych produktów.
Jednogigabajtowy Micro-DIMM
4 grudnia 2006, 14:13Transcend pokazał 1-gigabajtowy moduł pamięci Micro-DIMM, który jest o 40% mniejszy od tradycyjnie stosowanych SO-DIMM. Nowe kości Transcenda przeznaczone są do wykorzystania w notebookach.

Gęsto od nanokropek
29 kwietnia 2010, 18:23Doktor Jay Narayan z North Carolina State University opracował układ scalony, który może przechować olbrzymie ilości danych. Dzięki zastosowaniu nanokropek możliwe będzie zrewolucjonizowanie kości pamięci.
Debiut 45-nanometrowych Athlonów
5 grudnia 2006, 17:14AMD rozpoczęło dostawy 65-nanometrowych procesorów. Ich wytwarzaniem będzie zajmowała się Fab 36, która do połowy przyszłego roku zostanie całkowicie przestawiona na 65-nanometrowy proces produkcyjny

8 gigabajtów w technologii 20 nm
13 października 2010, 11:27Samsung jest pierwszą firmą, która wykorzystuje technologię 20 nanometrów do produkcji 64-bitowych układów NAND zapisujących 3 bity w pojedynczej komórce pamięci. Nowe kości znajdą zastosowanie wszędzie tam, gdzie konieczna będzie wysoka gęstość zapisu.
80-nanometrowe DRAM-y
28 grudnia 2006, 11:49Samsung pokazał pierwsze pierwsze 1-gigabitowe układy DRAM wykonane w technologii 80 nanometrów. To kolejne osiągnięcie koreańskiej firmy na polu układów pamięci.

IMTF prezentuje 128-gigabitową pamięć NAND
7 grudnia 2011, 11:48Intel i Micron ogłosiły powstanie pierwszego 128-gigabitowego układu pamięci MLC (multi-level cell) NAND, wykonanego w technologii 20 nanometrów. Jednocześnie obie firmy poinformowały o rozpoczęciu masowej produkcji 64-gigabitowych kości tego typu.